2020-03-17
2020-03-09
El objetivo de este artículo es presentar los cálculos de la alineación de bandas de pozos cuánticos de Ga1−xInxNyAs1−y ricos en indio (>53%) altamente tensos en sustratos de InP que permiten una longitud de onda de emisión del orden de 2,3 µm. Nos concentramos en la alineación de bandas de la red de pozos de Ga0.22In0.78N0.01As0.99 emparejada con barreras de In0.52Al0.48As. Nuestros cálculos muestran que la incorporación de nitrógeno en Ga1−xInxAs mejora significativamente la alineación de bandas, lo que permite que los pozos cuánticos de Ga0.22In0.78N0.01As0.99/In0.52Al0.48As en sustratos de InP compitan con la alineación de bandas única de GaInNAs/GaAs pozos en sustratos de GaAs . Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Se cultivaron estructuras de pozos cuánticos de InAs/Al0.2Ga0.8Sb de alta calidad en sustratos de germanio mediante epitaxia de haz molecular (MBE). Movilidades de electrones de 27.000 cm2/Vs para concentraciones laminares de nS=1,8 × 1012 cm-2 se lograron rutinariamente a temperatura ambiente para estructuras de pozos cuánticos de InAs/Al0.2Ga0.8Sb sin dopar sobre sustratos de germanio. Desarrollamos una tecnología de procesamiento simple para la fabricación de dispositivos magnetorresistivos de Corbino. Se midieron excelentes sensibilidades de corriente de 195 Ω/T y sensibilidades de voltaje de 2,35 T-1 en un campo magnético de 0,15 T para magnetorresistores en forma de Corbino sobre sustrato de germanio a temperatura ambiente. Este rendimiento de detección es comparable al obtenido por sensores idénticos en sustrato de GaAs . Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Las epicapas de GaSb se cultivaron en Si (001) usando epitaxia de haz molecular a través de puntos cuánticos de AlSb como una matriz de inadaptación interfacial (IMF) entre los sustratos de Siy epicapas de GaSb. Se investigó el efecto del grosor de la matriz IMF, la temperatura de crecimiento y el recocido posterior en la morfología de la superficie, las propiedades estructurales y ópticas del GaSb en Si. Entre los cinco espesores de matriz IMF diferentes (5, 10, 20, 40 y 80 ML) que se usaron en este estudio, el mejor resultado se obtuvo de la muestra con una matriz IMF AlSb de 20 ML. Además, se encontró que aunque el ancho total a la mitad del máximo (FWHM) y las densidades de dislocación de hilos (TD) obtenidas de las curvas de difracción de rayos X de alta resolución pueden mejorarse aumentando la temperatura de crecimiento, una disminución en la señal de fotoluminiscencia (PL) y surgió un aumento en la rugosidad de la superficie (RMS). Por otro lado, los resultados indican que al aplicar el recocido posterior, la calidad del cristal de la epicapa de GaSb se puede mejorar en términos de FWHM, densidad TD, Señal PL o RMS en función de la temperatura posterior al recocido. Aplicando post recocido a 570 °C durante 30 min conseguimos un valor FWHM de 260 arcsec para un espesor de 1 μmEpicapa de GaSb sobre Si (001) y mejora la intensidad de la señal PL sin empeorar el valor RMS. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Como parte importante de los nuevos materiales, los materiales semiconductores son la máxima prioridad de todos los países del mundo para el desarrollo de la industria de la información electrónica. Apoya el desarrollo de la localización de la industria de la información electrónica y es de gran importancia para la mejora de la estructura industrial, la economía nacional y la construcción de la defensa nacional. En 2018, los materiales semiconductores nacionales, con los esfuerzos conjuntos de todas las partes, lograron resultados gratificantes en algunas áreas, pero el progreso en la localización de materiales clave en las áreas de gama media y alta fue lento y los avances fueron pocos. La situación general no es optimista. El progreso de la segmentación de materiales semiconductores de China no es uniforme Según WSTS, en 2018, bajo la dirección del mercado de memorias, el mercado mundial de semiconductores siguió manteniendo un rápido crecimiento. Se espera que el tamaño del mercado anual alcance los 477.940 millones de dólares estadounidenses, un aumento del 15,9%. Sin embargo, a medida que se alivia el problema de la escasez de memoria, la tasa de crecimiento del mercado mundial de semiconductores se reducirá considerablemente en 2019 y se espera que aumente solo un 2,6 % durante todo el año. A nivel nacional, la industria nacional de semiconductores tiene un buen clima de negocios en la primera mitad de 2018. Desde la segunda mitad del año, la industria nacional de semiconductores se ha vuelto cada vez más débil debido a los factores de interferencia de la demanda del mercado de consumo global y otros factores. Según estadísticas preliminares, en 2018, las ventas de la industria de semiconductores de China fueron de 920.200 millones de yuanes, un aumento de 16. 7% interanual en 2017. Las incertidumbres que afectan a la economía mundial en 2019 siguen aumentando. Se espera que la tasa de crecimiento anual de las ventas de la industria de semiconductores en China caiga al 14,8%. Los materiales semiconductores incluyen principalmente materiales de fabricación de obleas y materiales de prueba de embalaje. Entre ellos, los materiales de fabricación de obleas incluyen obleas de silicio, fotoprotectores, fotomáscaras, gases especiales electrónicos, productos químicos húmedos, objetivos de pulverización catódica, materiales de pulido CMP, etc. Dólar estadounidense; los materiales de embalaje incluyen marcos de plomo, sustratos, materiales de embalaje de cerámica, alambres de unión, resinas de embalaje, materiales de colocación de chips, etc. En 2018, el tamaño del mercado nacional de materiales de embalaje es de aproximadamente 5680 millones de dólares estadounidenses. En 2018, el tamaño total del mercado de materiales de fabricación de obleas y materiales de prueba de empaque fue de aproximadamente $8500 millones. En 2018, el desarrollo de varios segmentos de materiales semiconductores en China es diferente. En términos de obleas de silicio, el aug...
Las matrices de nanocables (NW) de InSb se prepararon mediante electrodeposición pulsada combinada con una técnica de plantilla porosa. El material policristalino resultante tiene una composición estequiométrica (In:Sb = 1:1) y una alta relación longitud/diámetro. Sobre la base de una combinación de análisis de espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR) y mediciones de efecto de campo, se investigó la brecha de banda, la polaridad del portador de carga, la concentración del portador, la movilidad y la masa efectiva para los InSb NW . En este trabajo preliminar, se observó una transición del transporte de carga de tipo p a tipo n cuando los InSb NW se sometieron a recocido. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
En la actualidad, la tecnología de nitruro de galio (GaN) ya no se limita a aplicaciones de energía, y sus ventajas también se están infiltrando en todos los rincones de la industria de RF/microondas, y el impacto en la industria de RF/microondas está creciendo y no debe subestimarse. , porque se puede utilizar desde el espacio, el radar militar hasta las aplicaciones de comunicaciones celulares. Aunque GaN a menudo está altamente correlacionado con los amplificadores de potencia (PA), tiene otros casos de uso. Desde su lanzamiento, el desarrollo de GaN ha sido notable y, con la llegada de la era 5G, puede ser más interesante. El papel de GaN en el radar y el espacio Dos variantes de la tecnología GaN son GaN sobre silicio (GaN sobre Si) y GaN sobre carburo de silicio (GaN sobre SiC). Según Damian McCann, director de ingeniería de la División de Productos Discretos de RF/Microondas de Microsemi, GaN-on-SiC ha contribuido en gran medida a las aplicaciones de radar militar y espacial. Actualmente, los ingenieros de RF están buscando nuevas aplicaciones y soluciones para aprovechar GaN-on-SiC. Los niveles cada vez mayores de rendimiento de potencia y eficiencia logrados por los dispositivos, especialmente en aplicaciones de radar militar y espacial. GaN es un material semiconductor de banda prohibida ancha con alta dureza, estabilidad mecánica, capacidad calorífica, muy baja sensibilidad a la radiación térmica y conductividad térmica, y un mejor diseño para mejores ventajas de tamaño, peso y potencia (SWaP). También vemos que GaN-on-SiC supera a muchas tecnologías de la competencia, incluso a frecuencias más bajas. Los diseñadores de sistemas se beneficiarán de la tecnología GaN-on-SiC. PAM-XIAMENEl doctor Victor explicó que la tecnología de laminado acoplado térmicamente y altamente integrado, en combinación con GaN-on-SiC, permite a los diseñadores de sistemas buscar un mayor nivel de integración, especialmente para extender el radar principal para cubrir más de la misma área física. En la banda se añade la función de radar de segundo orden. En aplicaciones espaciales, la viabilidad de GaN-on-SiC ha aumentado recientemente, especialmente en aplicaciones donde la eficiencia de GaN es complementaria a la capacidad de operar a frecuencias más altas. La densidad de potencia de la onda milimétrica (mmWave) GaN trae un nuevo conjunto de técnicas de diseño que se pueden utilizar para encontrar niveles más altos de compensación. La solución debe ir más allá de la potencia y la linealidad en la compensación de potencia, y también necesita control de potencia. O corra a un nivel de VSWR variable. También señaló que la tecnología GaN-on-SiC puede reemplazar la antigua tecnología klystron. También se espera que la popularidad de los arreglos activos escaneados electrónicamente (AESA) y los componentes de arreglos en fase en aplicaciones espaciales militares y comerciales alcancen nuevos niveles de potencia, incluso para los circuitos integrados de microondas ...
Se estudia sistemáticamente el proceso de formación de defectos de cristal en una capa de Ge sobre aislante (capa GOI) fabricada mediante la oxidación de una capa de SiGe sobre aislante (SGOI), conocida como técnica de condensación de Ge. Se encuentra que los defectos de cristal en la capa GOI son dislocaciones de roscado y microgemelos que se forman principalmente en el rango de fracciones de Ge mayor que ~0.5. Además, cuando la fracción de Ge alcanza ~1 y se forma la capa GOI, la densidad de microgemelos disminuye significativamente y su ancho aumenta considerablemente. La relajación de la deformación por compresión, observada en las capas SGOI y GOI, no es atribuible a la formación de los microgemelos, sino a las dislocaciones perfectas que no pueden detectarse como defectos en la imagen reticular. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.ne t, envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com
Hemos medido los espectros infrarrojos de la transformada de Fourier de transmisión del carburo de silicio cúbico(politipo 3C-SiC) capa epitaxial de 20 µm de espesor sobre un sustrato de silicio de 200 µm de espesor. Los espectros se registraron en el rango de número de onda de 400–4000 cm−1. Se presenta un enfoque novedoso de los cálculos de espectros IR basado en la capacidad de recurrencia del lenguaje de programación C sobre la base de la propagación de la luz polarizada en medios en capas utilizando las ecuaciones de Fresnel generalizadas. Los índices de refracción complejos son los únicos parámetros de entrada. Se encuentra una concordancia notable entre todas las características espectrales experimentales de SiC y Si y los espectros calculados. Una asignación completa de (i) los dos modos fundamentales de fonón óptico transversal (TO) (790 cm−1) y óptico longitudinal (LO) (970 cm−1) de 3C–SiC, (ii) con sus armónicos (1522–1627 cm−1) y (iii) las bandas de suma óptica-acústica de dos fonones (1311–1409 cm−1) se logra sobre la base de los datos de la literatura disponible. Este enfoque permite clasificar las contribuciones respectivas del sustrato de Si yCapa superior de SiC . Dichos cálculos se pueden aplicar a cualquier medio, siempre que se conozcan los datos complejos del índice de refracción. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.ne t, envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com
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