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  • Integración de GaAs, GaN y Si-CMOS en un sustrato de Si común de 200 mm mediante un proceso de transferencia multicapa

    2019-11-18

    Se demuestra la integración de semiconductores III-V (p. ej., GaAs y GaN) y CMOS de silicio sobre aislante (SOI) en un sustrato de Si de 200 mm. La oblea donante SOI-CMOS se une temporalmente a una oblea de mango de Si y se diluye . A continuación, se une un segundo sustrato de GaAs/Ge/Si a la oblea del mango que contiene SOI-CMOS. Después de eso, se elimina el Si del sustrato GaAs/Ge/Si. Luego, el sustrato de GaN/Si se une a la oblea del mango que contiene SOI-GaAs/Ge. Finalmente, la oblea del mango se libera para realizar la estructura híbrida SOI-GaAs/Ge/GaN/Si en un sustrato de Si. Mediante este método, las funcionalidades de los materiales utilizados se pueden combinar en una única plataforma de Si. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,  envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

  • 3C-SiC de tipo p altamente dopado en sustratos de 6H-SiC

    2019-11-11

    Se han desarrollado capas de p-3C-SiC altamente dopadas de buena perfección cristalina mediante epitaxia por sublimación en vacío. El análisis de los espectros de fotoluminiscencia y la dependencia de la temperatura de la concentración del portador muestra que existen al menos dos tipos de centros aceptores en ~ E V  + 0,25 eV y en  E V  + 0,06–0,07 eV en las muestras estudiadas. Se llega a la conclusión de que las capas de este tipo se pueden utilizar como emisores p en dispositivos 3C-SiC. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,  envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

  • Corrientes fotoinducidas en cristales de CdZnTe en función de la longitud de onda de iluminación

    2019-11-05

    Reportamos variaciones en las corrientes de cristales semiconductores de CdZnTe durante la exposición a una serie de diodos emisores de luz de varias longitudes de onda que van desde 470 a 950 nm. Se discuten los cambios en la corriente de estado estacionario de un cristal de CdZnTe con y sin iluminación junto con la dependencia del tiempo de los efectos de iluminación. El análisis de las corrientes masivas transitorias y de desbloqueo durante y después de la excitación óptica arroja información sobre el comportamiento de las trampas de carga dentro del cristal. Se observa un comportamiento similar para la iluminación de un segundo cristal de CdZnTe, lo que sugiere que los efectos de iluminación generales no dependen del cristal. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,  envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

  • Unión a temperatura ambiente de obleas de GaAs//Si y GaN//GaAs con baja resistencia eléctrica

    2019-10-30

    Las propiedades eléctricas de las obleas unidas a temperatura ambiente hechas de materiales con diferentes constantes de red, como p-GaAs y n-Si, p-GaAs y n-Si [ambos con una capa superficial de óxido de indio y estaño (ITO)], y n -GaN y p-GaAs, fueron investigados. La muestra de p-GaAs//n-Si enlazada mostró una resistencia de interfaz eléctrica de 2,8  ×  10-1  Ω cm 2  y mostró características de tipo óhmico. Por el contrario, la muestra unida de p-GaAs/ITO//ITO/n-Si mostró características tipo Schottky. La muestra de oblea de n-GaN//p-GaAs unida exhibió características de tipo óhmico con una resistencia de interfaz de 2,7 Ω cm 2 . Hasta donde sabemos, esta es la primera instancia informada de una oblea de GaN//GaAs unida con una baja resistencia eléctrica. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,  envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

  • Crecimiento epitaxial de capas de Bi2Se3 sobre sustratos de InP por epitaxia de pared caliente

    2019-10-21

    El  parámetro de red del eje a de Bi 2 Se 3  es casi idéntico a la periodicidad de red de la superficie InP (1 1 1). En consecuencia, obtenemos capas de Bi 2 Se 3  (0 0 0 1) notablemente suaves en crecimiento de epitaxia de pared caliente en sustratos de InP (1 1 1) B. La periodicidad coincidente de la red se conserva en las direcciones [1 1 0] y [ ] de la superficie (0 0 1). Las capas de Bi 2 Se 3  cultivadas en sustratos InP (0 0 1) exhiben una simetría en el plano de 12 veces, ya que la dirección [ ] de Bi 2 Se 3  está alineada con cualquiera de las dos direcciones. Cuando el sustrato InP orientado (1 1 1)s están inclinadas, se encuentra que las capas de Bi 2 Se 3  (0 0 0 1) desarrollan escalones que tienen una altura de ~50 nm. La inclinación del eje Bi 2 Se 3  [0 0 0 1] con respecto a la superficie de crecimiento es la responsable de la creación de los escalones. Por lo tanto, se evidencia que el crecimiento epitaxial tiene lugar en lugar del crecimiento de van der Waals. Señalamos sus implicaciones sobre los estados superficiales de los aisladores topológicos. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,  envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

  • Detectores de superredes de capa tensa de InAs/GaSb de infrarrojo medio con diseño de nBn desarrollados en un sustrato de GaAs

    2019-09-29

    Informamos sobre un fotodetector de superred de capa tensa (SLS) InAs/GaSb de tipo II (λ_{\rm cut\hbox{-}off} ~4,3 µm a 77 K) con un diseño de nBn desarrollado en un sustrato de GaAs utilizando matrices de dislocación inadaptadas interfaciales para minimizar las dislocaciones de roscado en la región activa. A 77 K y 0,1 V de polarización aplicada, la densidad de corriente oscura fue igual a 6 × 10−4 A cm−2 y la máxima detección específica D* se estimó en 1,2 × 1011 Jones (a 0 V). A 293 K, se encontró que el D* de polarización cero era de ~109 Jones, que es comparable al detector SLS de nBn InAs/GaSb desarrollado en el sustrato de GaSb . Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,  envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

  • Descripción general de los recientes avances y aplicaciones de unión directa de obleas

    2019-09-18

    Los procesos de unión directa de obleas se utilizan cada vez más para lograr estructuras de apilamiento innovadoras. Muchos de ellos ya han sido implementados en aplicaciones industriales. Este artículo analiza los mecanismos de vinculación directa, los procesos desarrollados recientemente y las tendencias. Se han logrado con éxito estructuras unidas homogéneas y heterogéneas con diversos materiales. Los materiales activos, aislantes o conductores han sido ampliamente investigados. Este artículo brinda una descripción general de los procesos y mecanismos de unión directa de obleas de Si y SiO2 , la unión de tipo silicio sobre aislante, el apilamiento de diversos materiales y la transferencia de dispositivos. La unión directa permite claramente la aparición y el desarrollo de nuevas aplicaciones, como microelectrónica, microtecnologías , sensores, MEM, dispositivos ópticos,biotecnologías e integración 3D. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,  envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

  • Logotipo de Japanese Journal of Applied Physics Implantación de una nueva región de base P resistente a la difusión para el modo de acumulación Transistor de efecto de campo Epi-Channel 4H-SiC

    2019-09-11

    Se emplea una técnica de implantación novedosa que utiliza la implantación secuencial de carbono (C) y boro (B) para controlar la difusión lateral y vertical de B desde la región de la base p del transistor de efecto de campo epicanal de carburo de silicio plano (SiC) (ECFET ) . ). Las mediciones actuales de espectroscopia transitoria de nivel profundo se realizaron para establecer la intercorrelación entre la difusión mejorada de B y los defectos eléctricamente activos introducidos por la implantación secuencial de C y B. Se encontró que la formación de un nivel de defecto profundo se suprime por completo en la misma proporción (C:B=10:1) que para la difusión de B en 4H–SiC. Se propuso un mecanismo de difusión que se correlaciona con la formación del centro D para explicar la difusión mejorada de B observada experimentalmente. La efectividad de la técnica de implantación de C y B para suprimir el efecto pinch del transistor de efecto de campo de unión (JFET) es claramente visible en el aumento de 3 a 4 veces en la corriente de drenaje del ECFET 4H-SiC fabricado para el espaciado de la base p que se redujo a aproximadamente 3 micras. Esta novedosa técnica de implantación resistente a la difusión abre puertas para densidades de empaque más grandes a través de la reducción del paso de celda unitaria para aplicaciones de dispositivos de alta potencia de SiC. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com

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