2020-03-17
2020-03-09
Creemos que una de las capacidades electrónicas de este dispositivo podría ser seleccionar la fuerza del acoplamiento espín-órbita en un pozo cuántico de GaAs tipo p . Esto podría conducir a la creación de un aislador topológico, que es un aislante por dentro pero un conductor por fuera. Tal aislador podría, a su vez, permitir la llamada computación cuántica topológica, que es un enfoque teórico de la computación cuántica que podría ser mucho más robusto que los métodos actuales. Esta capacidad no existe en el grafeno natural ni en otros sistemas de grafeno artificial. Fuente: .ieee Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Este documento informa sustratos de nitruro de galio (GaN) de dos pulgadas fabricados a partir de cristales de GaN a granel cultivados en el método amonotérmico de equilibrio cercano. obleas de GaN de 2''cortados a partir de cristales de GaN a granel tienen un ancho total de la mitad del máximo de la curva oscilante de rayos X 002 de 50 segundos de arco o menos, una densidad de dislocación de mediados de 105 cm−2 o menos, y una densidad de electrones de aproximadamente 2 × 1019 cm−3 . La alta densidad de electrones se atribuye a una impureza de oxígeno en el cristal. A través de una extensa preparación de la superficie, la superficie Ga de la oblea muestra una estructura escalonada atómica. Además, la eliminación del daño del subsuelo se confirmó con mediciones de la curva oscilante de rayos X de ángulo rasante de la difracción 114. Las estructuras de diodos p-n de alta potencia se cultivaron con deposición de vapor químico metalorgánico. Los dispositivos fabricados mostraron un voltaje de ruptura de más de 1200 V con una resistencia en serie suficientemente baja. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Hemos investigado las propiedades estructurales y eléctricas de las epicapas de InAsxSb1−x cultivadas en sustratos de GaAs(0 0 1) mediante epitaxia de pared caliente . Las epicapas se cultivaron en una capa graduada de InAsSb y una capa tampón de InSb . La composición de arsénico (x) de la epicapa InAsxSb1−x se calculó mediante difracción de rayos X y resultó ser 0,5. Las capas graduadas se cultivaron con gradientes de temperatura As de 2 y 0,5 °C min−1. El crecimiento tridimensional (3D) de la isla debido al gran desajuste de la red entre InAsSb y GaAs se observó mediante microscopía electrónica de barrido. Como los espesores de la capa graduada de InAsSby la capa de amortiguamiento de InSb se incrementan, se observa una transición de un crecimiento en isla 3D a un crecimiento similar a una meseta bidimensional. Las mediciones de la curva oscilante de rayos X indican que el ancho completo a la mitad de los valores máximos de las epicapas se redujo al usar las capas graduadas y de amortiguamiento. Se observó una mejora espectacular de la movilidad de los electrones de las capas cultivadas mediante medidas de efecto Hall. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Las capas de ZnSe se cultivan heteroepitaxialmente en sustratos cortados de una oblea de GaAs(100) semiaislante no dopada y cultivada con LEC a lo largo del diámetro paralelo al eje [001]. Las intensidades de la fotoluminiscencia de excitón libre y la difracción de rayos X de las capas de ZnSe muestran un perfil en forma de M a lo largo del diámetro de la oblea de GaAs y están inversamente correlacionadas con la distribución de la densidad de grabado de la oblea de GaAs. Esta observación brinda, por primera vez, evidencia experimental de que la calidad de las capas heteroepitaxiales de ZnSe cultivadas mediante técnicas epitaxiales recientes puede verse limitada por la calidad de los sustratos de GaAs . Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Capas de germanio altamente dopadas con boro suaves y completamente relajadas se cultivaron directamente en sustratos de Si (001) utilizando epitaxia mediada por carbono. Se midió un nivel de dopaje mediante varios métodos. Usando difracción de rayos X de alta resolución, observamos diferentes parámetros de red para muestras intrínsecas y altamente dopadas con boro. Se calculó un parámetro de red de una Ge:B = 5.653 Å usando los resultados obtenidos por mapeo de espacio recíproco alrededor de la reflexión (113) y el modelo de distorsión tetragonal. La contracción de la red observada se adaptó y se llevó de acuerdo con un modelo teórico desarrollado para silicio altamente dopado con boro. Se realizó espectroscopia Raman en las muestras intrínseca y dopada. Se observó un cambio en el pico de dispersión de fonones de primer orden y se atribuyó al alto nivel de dopaje. Se calculó un nivel de dopaje por comparación con la literatura. También observamos una diferencia entre la muestra intrínseca y dopada en el rango de dispersión de fonones de segundo orden. Aquí, un pico intenso es visible en las muestras dopadas. Este pico se atribuyó al enlace entre el germanio y el isótopo de boro 11B. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Las capas de CdS se depositaron sobre sustratos de InP utilizando la técnica de crecimiento de vapor (H2-CdS). Las capas monocristalinas de CdS hexagonal se obtuvieron en InP (111) , (110) y (100) con las siguientes relaciones heteroepitaxiales; (0001) CdS//(111) InP y [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP, (01bar 13) CdS//(110) InP y [bar 2110] CdS//[bar 110] InP, (30bar 34) CdS//(100) InP y [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP. Las capas de CdS depositadas en InP (bar 1bar 1bar 1) se identificaron en términos de cristales hexagonales maclados, cuyos planos gemelos eran casi paralelos a (30bar 3bar 4) y sus equivalentes cristalográficos. Los gradientes de composición se observaron en la interfaz de los depósitos y los sustratos. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
En este artículo, presentamos los resultados de una investigación teórica y experimental sobre el índice de refracción y la absorción, a temperatura ambiente, de una capa epitaxial no dopada de GaSb de 4 μm de espesor depositada sobre un sustrato de GaAs . Se derivó una fórmula teórica para la transmisión óptica a través de un etalón, teniendo en cuenta la longitud de coherencia finita de la luz. Esta fórmula se utilizó para analizar los espectros de transmisión medidos. El índice de refracción se determinó en un amplio rango espectral, entre 0,105 eV y 0,715 eV. La absorción se determinó para energías de fotones entre 0,28 eV y 0,95 eV. Se observó una cola de Urbach en el espectro de absorción, así como un aumento constante de la absorción en la región espectral por encima de la banda prohibida. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Las vacantes de Cd en los cristales de telururo de zinc y cadmio (CdZnTe) tienen un efecto importante en las propiedades del cristal. En este documento, la distribución de posición y el cambio de concentración de la vacante de Cd en el cristal de CdZnTe cultivado por el crecimiento de la solución de gradiente de temperatura (TGSG) se investigaron mediante la tecnología de aniquilación de positrones (PAT), que se basó en la distribución de energía potencial y densidad de probabilidad del positrón en el cristal Los resultados mostraron que la densidad de la vacancia de Cd aumentó obviamente desde el primer congelamiento hasta el crecimiento estable de los lingotes, mientras que disminuyó a lo largo de la dirección radial de los lingotes. Fuente:IOPscience Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
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